Hersteller Produktnummer:
DMTH8008LFGQ-13
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMTH8008LFGQ-13-DG
Beschreibung:
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 80 V 17A (Ta), 70A (Tc) 1.2W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount POWERDI3333-8
Inventar:
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DMTH8008LFGQ-13 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
80 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
17A (Ta), 70A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
6.9mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
37.7 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2254 pF @ 40 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.2W (Ta), 50W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerDI3333-8
Paket / Koffer
8-PowerVDFN
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
31-DMTH8008LFGQ-13TR
31-DMTH8008LFGQ-13DKR
31-DMTH8008LFGQ-13CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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