DRDN010W-7
Hersteller Produktnummer:

DRDN010W-7

Product Overview

Hersteller:

Diodes Incorporated

Teilenummer:

DRDN010W-7-DG

Beschreibung:

TRANS NPN 18V 1A SOT363
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN + Diode (Isolated) 18 V 1 A 100MHz 200 mW Surface Mount SOT-363

Inventar:

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12882377
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DRDN010W-7 Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN + Diode (Isolated)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
1 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
18 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
500mV @ 30mA, 300mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
1µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
150 @ 100mA, 1V
Leistung - Max
200 mW
Frequenz - Übergang
100MHz
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-363
Basis-Produktnummer
DRDN010

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
DRDN010W-7
HTML-Datenblatt
DRDN010W-7-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
DRDN010WDIDKR
DRDN010WDITR
DRDN010W7
DRDN010WDICT

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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