DST3906DJ-7
Hersteller Produktnummer:

DST3906DJ-7

Product Overview

Hersteller:

Diodes Incorporated

Teilenummer:

DST3906DJ-7-DG

Beschreibung:

TRANS 2PNP 40V 0.2A SOT963
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 40V 200mA 300MHz 300mW Surface Mount SOT-963

Inventar:

12889075
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

DST3906DJ-7 Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
2 PNP (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
200mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
40V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
400mV @ 5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
50nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 10mA, 1V
Leistung - Max
300mW
Frequenz - Übergang
300MHz
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-963
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-963
Basis-Produktnummer
DST3906

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
10,000
Andere Namen
DST3906DJ-7DIDKR
DST3906DJ7
DST3906DJ-7DITR
DST3906DJ-7DICT
DST3906DJ-7DI

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
toshiba-semiconductor-and-storage

HN4A51JTE85LF

TRANS 2PNP 120V 0.1A SMV

toshiba-semiconductor-and-storage

HN1C01FU-Y,LF

NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO50

toshiba-semiconductor-and-storage

HN3C51F-GR(TE85L,F

TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6

toshiba-semiconductor-and-storage

HN1C01FU-GR,LF

TRANS 2NPN 50V 0.15A US6