DXTN07100BP5-13
Hersteller Produktnummer:

DXTN07100BP5-13

Product Overview

Hersteller:

Diodes Incorporated

Teilenummer:

DXTN07100BP5-13-DG

Beschreibung:

TRANS NPN 100V 2A POWERDI5
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 2 A 175MHz 740 mW Surface Mount PowerDI™ 5

Inventar:

5000 Stück Neu Original Auf Lager
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DXTN07100BP5-13 Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
2 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
100 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
500mV @ 200mA, 2A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 500mA, 2V
Leistung - Max
740 mW
Frequenz - Übergang
175MHz
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
PowerDI™ 5
Gerätepaket für Lieferanten
PowerDI™ 5
Basis-Produktnummer
DXTN07100

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
5,000
Andere Namen
31-DXTN07100BP5-13DKR
31-DXTN07100BP5-13TR
DXTN07100BP5-13DITR-DG
DXTN07100BP5-13DIDKR
DXTN07100BP5-13DICT
DXTN07100BP5-13DIDKR-DG
31-DXTN07100BP5-13CT
DXTN07100BP5-13DICT-DG
DXTN07100BP5-13DI
DXTN07100BP5-13DI-DG
DXTN07100BP5-13DITR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
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