Hersteller Produktnummer:
DXTN3C100PDQ-13
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DXTN3C100PDQ-13-DG
Beschreibung:
SS Low Sat Transistor PowerDI506
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 100V 3A 130MHz 1.47W Surface Mount PowerDI5060-8 (Type UXD)
Inventar:
1480 Stück Neu Original Auf Lager
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DXTN3C100PDQ-13 Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
2 NPN (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
3A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
100V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
330mV @ 300mA, 3A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
150 @ 500mA, 10V
Leistung - Max
1.47W
Frequenz - Übergang
130MHz
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Gerätepaket für Lieferanten
PowerDI5060-8 (Type UXD)
Basis-Produktnummer
DXTN3C100
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
31-DXTN3C100PDQ-13
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
DIGI-Zertifizierung
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