Hersteller Produktnummer:
HBDM60V600X-7
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
HBDM60V600X-7-DG
Beschreibung:
FUNCTIONAL ARRAY SOT363 T&R 3K
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor Array 1 NPN, 1 PNP 60V, 80V 600mA, 500mA 200mW Surface Mount SOT-363
Inventar:
12978681
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EINREICHEN
HBDM60V600X-7 Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
1 NPN, 1 PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
600mA, 500mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
60V, 80V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
400mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 50mA, 500mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA, 50nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
250 @ 10mA, 1V / 100 @ 150mA, 10V
Leistung - Max
200mW
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-363
Basis-Produktnummer
HBDM60V600
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
31-HBDM60V600X-7DKR
31-HBDM60V600X-7TR
31-HBDM60V600X-7CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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