Hersteller Produktnummer:
MJD31C-13
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
MJD31C-13-DG
Beschreibung:
TRANS NPN 100V 3A TO252
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 3 A 3MHz 1.56 W Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventar:
43846 Stück Neu Original Auf Lager
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MJD31C-13 Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
3 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
100 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
1.2V @ 375mA, 3A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
1µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
10 @ 3A, 4V
Leistung - Max
1.56 W
Frequenz - Übergang
3MHz
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252 (DPAK)
Basis-Produktnummer
MJD31
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
MJD31C-13DITR
MJD31C-13DICT
MJD31C13
MJD31C-13DIDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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