MMBTH10Q-7-F
Hersteller Produktnummer:

MMBTH10Q-7-F

Product Overview

Hersteller:

Diodes Incorporated

Teilenummer:

MMBTH10Q-7-F-DG

Beschreibung:

RF TRANSISTOR SOT23
Detaillierte Beschreibung:
RF Transistor NPN 25V 50mA 650MHz 310mW Surface Mount SOT-23-3

Inventar:

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12954950
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Mindestens 1
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MMBTH10Q-7-F Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare RF-Transistoren
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
25V
Frequenz - Übergang
650MHz
Geräuschzahl (dB Typ @ f)
-
Gewinnen
-
Leistung - Max
310mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
60 @ 4mA, 10V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
50mA
Betriebstemperatur
-65°C ~ 150°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-23-3
Basis-Produktnummer
MMBTH10

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
MMBTH10Q-7-F
HTML-Datenblatt
MMBTH10Q-7-F-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
31-MMBTH10Q-7-FCT
31-MMBTH10Q-7-FDKR
31-MMBTH10Q-7-FTR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

Alternative Modelle

Teilenummer
BFR380FH6327XTSA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
14658
TEILNUMMER
BFR380FH6327XTSA1-DG
Einheitspreis
0.05
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Einheitspreis
0.22
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TEILNUMMER
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TEILNUMMER
BFQ19SH6327XTSA1-DG
Einheitspreis
0.21
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