MMDT5551-7
Hersteller Produktnummer:

MMDT5551-7

Product Overview

Hersteller:

Diodes Incorporated

Teilenummer:

MMDT5551-7-DG

Beschreibung:

TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT363
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 160V 200mA 300MHz 200mW Surface Mount SOT-363

Inventar:

12888270
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MMDT5551-7 Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Discontinued at Digi-Key
Transistor-Typ
2 NPN (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
200mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
160V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
200mV @ 5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
50nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Leistung - Max
200mW
Frequenz - Übergang
300MHz
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-363
Basis-Produktnummer
MMDT5551

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
MMDT5551
MMDT5551CT
MMDT5551DITR
MMDT5551TR
MMDT5551DICT
MMDT55517
MMDT5551CT-DG
MMDT5551TR-DG

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

Alternative Modelle

Teilenummer
FFB5551
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
31606
TEILNUMMER
FFB5551-DG
Einheitspreis
0.14
ERSATZART
Direct
Teilenummer
MMDT5551-7-F
HERSTELLER
Diodes Incorporated
VERFÜGBARE ANZAHL
241087
TEILNUMMER
MMDT5551-7-F-DG
Einheitspreis
0.05
ERSATZART
Direct
DIGI-Zertifizierung
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