MMST5551-7-F
Hersteller Produktnummer:

MMST5551-7-F

Product Overview

Hersteller:

Diodes Incorporated

Teilenummer:

MMST5551-7-F-DG

Beschreibung:

TRANS NPN 160V 0.2A SOT323
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 200 mA 300MHz 200 mW Surface Mount SOT-323

Inventar:

35200 Stück Neu Original Auf Lager
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MMST5551-7-F Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
200 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
160 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
200mV @ 5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
50nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Leistung - Max
200 mW
Frequenz - Übergang
300MHz
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SC-70, SOT-323
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-323
Basis-Produktnummer
MMST5551

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
MMST55517F
MMST5551-FDIDKR
MMST5551-FDICT
MMST5551-FDITR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
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