Hersteller Produktnummer:
ZTX853QSTZ
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
ZTX853QSTZ-DG
Beschreibung:
PWR MID PERF TRANSISTOR EP3 AMMO
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 4 A 130MHz 1.2 W Through Hole E-Line (TO-92 compatible)
Inventar:
12979368
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ZTX853QSTZ Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Box (TB)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
4 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
100 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
200mV @ 400mA, 4A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
50nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 2A, 2V
Leistung - Max
1.2 W
Frequenz - Übergang
130MHz
Betriebstemperatur
-55°C ~ 200°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
E-Line-3, Formed Leads
Gerätepaket für Lieferanten
E-Line (TO-92 compatible)
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
4,000
Andere Namen
31-ZTX853QSTZTB
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
DIGI-Zertifizierung
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