Hersteller Produktnummer:
ZXMC4559DN8TC
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
ZXMC4559DN8TC-DG
Beschreibung:
MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 60V 3.6A, 2.6A 2.1W Surface Mount 8-SO
Inventar:
12949638
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ZXMC4559DN8TC Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
N and P-Channel
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
3.6A, 2.6A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
55mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA (Min)
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
20.4nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1063pF @ 30V
Leistung - Max
2.1W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gerätepaket für Lieferanten
8-SO
Basis-Produktnummer
ZXMC4559
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
ZXMC4559DN8TCDI-DG
-ZXMC4559DN8TCDIDKR
ZXMC4559DN8TCDI
ZXMC4559DN8TCDICT
-ZXMC4559DN8TCDITR
ZXMC4559DN8TCDIDKR
ZXMC4559DN8TCDITR
-ZXMC4559DN8TCDICT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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