Hersteller Produktnummer:
ZXMN2A02X8TA
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
ZXMN2A02X8TA-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 20V 6.2A 8MSOP
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 20 V 6.2A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 8-MSOP
Inventar:
12906458
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ZXMN2A02X8TA Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
6.2A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 11A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
700mV @ 250µA (Min)
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
18.6 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1900 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.1W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-MSOP
Paket / Koffer
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
1034-ZXMN2A02X8CT
ZXMN2A02X8CT
1034-ZXMN2A02X8DKR
ZXMN2A02X8TR
ZXMN2A02X8CT-NDR
ZXMN2A02X8TR-NDR
ZXMN2A02X8DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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