Hersteller Produktnummer:
ZXMN2F34MATA
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
ZXMN2F34MATA-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 20V 4A DFN322
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 20 V 4A (Ta) 1.35W (Ta) Surface Mount DFN322
Inventar:
12887725
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ZXMN2F34MATA Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 2.5A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
2.8 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
277 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.35W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
DFN322
Paket / Koffer
3-PowerVDFN
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
ZXMN2F34MACT
ZXMN2F34MADKR
ZXMN2F34MATR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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