Hersteller Produktnummer:
ZXMN7A11GQTA
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
ZXMN7A11GQTA-DG
Beschreibung:
MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT223 T&
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 70 V 2.7A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223
Inventar:
12978734
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ZXMN7A11GQTA Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
70 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2.7A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
130mOhm @ 4.4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
7.4 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
298 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-223
Paket / Koffer
TO-261-4, TO-261AA
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
31-ZXMN7A11GQTADKR
31-ZXMN7A11GQTATR
31-ZXMN7A11GQTACT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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