Hersteller Produktnummer:
ZXTP2012GTA
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
ZXTP2012GTA-DG
Beschreibung:
TRANS PNP 60V 5.5A SOT223-3
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 5.5 A 120MHz 3 W Surface Mount SOT-223-3
Inventar:
100986 Stück Neu Original Auf Lager
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ZXTP2012GTA Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
5.5 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
60 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
250mV @ 500mA, 5A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
20nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 2A, 1V
Leistung - Max
3 W
Frequenz - Übergang
120MHz
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-261-4, TO-261AA
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-223-3
Basis-Produktnummer
ZXTP2012
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
ZXTP2012GCT-NDR
ZXTP2012GTR-NDR
ZXTP2012GCT
ZXTP2012GTR
ZXTP2012GDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
DIGI-Zertifizierung
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