2N5551
Hersteller Produktnummer:

2N5551

Product Overview

Hersteller:

Diotec Semiconductor

Teilenummer:

2N5551-DG

Beschreibung:

BJT TO-92 160V 600MA NPN 0.625W
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 600 mA 300MHz 625 mW Through Hole TO-92

Inventar:

76000 Stück Neu Original Auf Lager
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2N5551 Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Diotec Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
600 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
160 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
200mV @ 5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
50nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Leistung - Max
625 mW
Frequenz - Übergang
300MHz
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Gerätepaket für Lieferanten
TO-92

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
2N5551
HTML-Datenblatt
2N5551-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
4,000
Andere Namen
2796-2N5551TR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
Not applicable
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
Vendor Undefined
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0000
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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