BC807-16
Hersteller Produktnummer:

BC807-16

Product Overview

Hersteller:

Diotec Semiconductor

Teilenummer:

BC807-16-DG

Beschreibung:

BJT SOT-23 45V 800MA
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 45 V 800 mA 100MHz 310 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Inventar:

3000 Stück Neu Original Auf Lager
12976766
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

BC807-16 Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Diotec Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
800 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
45 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
700mV @ 50mA, 500mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 100mA, 1V
Leistung - Max
310 mW
Frequenz - Übergang
100MHz
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-23-3 (TO-236)

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
4878-BC807-16CT
2796-BC807-16TR-DG
4878-BC807-16TR
2796-BC807-16TR
4878-BC807-16DKR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
Not applicable
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
Vendor Undefined
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
onsemi

2SD734F

NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRA

onsemi

2SD734F-AA

NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRA

renesas-electronics-america

2SA812B-T1B-AT

2SA812B-T1B-AT - PNP SILICON EPI

onsemi

SBC847BLT1G-M01

SBC847 - TRANS BJTS NPN 45V