FDP039N08B-F102
Hersteller Produktnummer:

FDP039N08B-F102

Product Overview

Hersteller:

Fairchild Semiconductor

Teilenummer:

FDP039N08B-F102-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 80 V 120A (Tc) 214W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventar:

399 Stück Neu Original Auf Lager
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FDP039N08B-F102 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Verpackung
Bulk
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
80 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3.9mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
133 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
9450 pF @ 40 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
214W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220-3
Paket / Koffer
TO-220-3

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
FDP039N08B-F102 Datasheet

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
64
Andere Namen
ONSONSFDP039N08B-F102
2156-FDP039N08B-F102ND

Umwelt- und Exportklassifizierung

ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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