Hersteller Produktnummer:
NDH832P
Product Overview
Hersteller:
Fairchild Semiconductor
Teilenummer:
NDH832P-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 4.2A SUPERSOT8
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 20 V 4.2A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-8
Inventar:
73243 Stück Neu Original Auf Lager
12901850
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NDH832P Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4.2A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.7V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 4.2A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
-8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1000 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.8W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SuperSOT™-8
Paket / Koffer
8-TSOP (0.130", 3.30mm Width)
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
807
Andere Namen
2156-DGH832P-FSTR-DG
FAIFSCNDH832P
2156-NDH832P
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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