MB85R256FPNF-G-JNE2
Hersteller Produktnummer:

MB85R256FPNF-G-JNE2

Product Overview

Hersteller:

Fujitsu Semiconductor Memory Solution

Teilenummer:

MB85R256FPNF-G-JNE2-DG

Beschreibung:

IC FRAM 256KBIT PARALLEL 28SOP
Detaillierte Beschreibung:
FRAM (Ferroelectric RAM) Memory IC 256Kbit Parallel 150 ns 28-SOP

Inventar:

12386769
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

MB85R256FPNF-G-JNE2 Technische Spezifikationen

Kategorie
Speicher, Speicher
Hersteller
Fujitsu Semiconductor Memory Solution
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
DiGi-Electronics Programmierbar
Not Verified
Speichertyp
Non-Volatile
Speicherformat
FRAM
Technologie
FRAM (Ferroelectric RAM)
Größe des Speichers
256Kbit
Organisation des Speichers
32K x 8
Speicher-Schnittstelle
Parallel
Zykluszeit schreiben - Word, Seite
150ns
Zugriffszeit
150 ns
Spannung - Versorgung
2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur
-40°C ~ 85°C (TA)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
28-SOIC (0.342", 8.69mm Width)
Gerätepaket für Lieferanten
28-SOP
Basis-Produktnummer
MB85R256

Datenblatt & Dokumente

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
95
Andere Namen
865-MB85R256FPNF-G-JNE2

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8542.32.0071
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
spansion

S29CL016J0MQFM030

FLASH, 512KX32, 54NS

advanced-micro-devices

AM27S21WW

AM27S21 - OTP ROM, 256X4

spansion

S29CD032J0RFAM010

FLASH 32M PARALLEL 80FBGA

catalyst-semiconductor-inc

CAT24C04WI-GT3

CAT24C04 - 4-KBIT I2C SERIAL EEP