G030N06T
Hersteller Produktnummer:

G030N06T

Product Overview

Hersteller:

Goford Semiconductor

Teilenummer:

G030N06T-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 60V 223A TO-220
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 223A (Tc) 240W (Tc) Through Hole TO-220

Inventar:

73 Stück Neu Original Auf Lager
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G030N06T Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Goford Semiconductor
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
223A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.7mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
101 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
11999 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
240W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220
Paket / Koffer
TO-220-3

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
50
Andere Namen
3141-G030N06T

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0000
DIGI-Zertifizierung
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