Hersteller Produktnummer:
G130N06M
Product Overview
Hersteller:
Goford Semiconductor
Teilenummer:
G130N06M-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 90A TO-263
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 90A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount TO-263
Inventar:
12993058
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
ZCYx
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
G130N06M Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Goford Semiconductor
Verpackung
-
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.4V @ 250µA
Vgs (Max)
±20V
FET-Funktion
Standard
Verlustleistung (max.)
85W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,600
Andere Namen
4822-G130N06MTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
Vendor Undefined
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0000
Alternative Modelle
Teilenummer
G130N06M
HERSTELLER
Goford Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
780
TEILNUMMER
G130N06M-DG
Einheitspreis
0.32
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
DMTH12H007SPSWQ-13
MOSFET BVDSS: 101V~250V PowerDI5
DMP3007LK3Q-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V TO252 T&R
DMP27M1UPSW-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V PowerDI5060