G130N06M
Hersteller Produktnummer:

G130N06M

Product Overview

Hersteller:

Goford Semiconductor

Teilenummer:

G130N06M-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 60V 90A TO-263
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 90A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount TO-263

Inventar:

12993058
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G130N06M Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Goford Semiconductor
Verpackung
-
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.4V @ 250µA
Vgs (Max)
±20V
FET-Funktion
Standard
Verlustleistung (max.)
85W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1,600
Andere Namen
4822-G130N06MTR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
Vendor Undefined
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0000

Alternative Modelle

Teilenummer
G130N06M
HERSTELLER
Goford Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
780
TEILNUMMER
G130N06M-DG
Einheitspreis
0.32
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
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