Hersteller Produktnummer:
G1K3N10G
Product Overview
Hersteller:
Goford Semiconductor
Teilenummer:
G1K3N10G-DG
Beschreibung:
N100V, 5A,RD<130M@10V,VTH1V~2V,
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 5A (Tc) 1.5W (Tc) Surface Mount SOT-89
Inventar:
778 Stück Neu Original Auf Lager
12993027
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G1K3N10G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Goford Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
5A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
130mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
644 pF @ 50 V
FET-Funktion
Standard
Verlustleistung (max.)
1.5W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-89
Paket / Koffer
TO-243AA
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
3141-G1K3N10GTR
4822-G1K3N10GTR
3141-G1K3N10GCT
3141-G1K3N10GDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS Compliant
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0000
DIGI-Zertifizierung
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