Hersteller Produktnummer:
G66
Product Overview
Hersteller:
Goford Semiconductor
Teilenummer:
G66-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 16V 5.8A DFN2*2-6L
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 5.8A (Tc) 1.7W (Tc) Surface Mount 6-DFN (2x2)
Inventar:
13001951
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
G66 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Goford Semiconductor
Verpackung
-
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
5.8A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
45mOhm @ 4.1A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Vgs (Max)
±8V
FET-Funktion
Standard
Verlustleistung (max.)
1.7W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
6-DFN (2x2)
Paket / Koffer
6-WDFN Exposed Pad
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
4822-G66TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
Vendor Undefined
ECCN (Englisch)
EAR99
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
FCPF360N65S3R0-F154
MOSFET N-CH 500V 12A TO-220F
IPP023N10N5XKSA1
TRENCH >=100V
RS1P090ATTB1
PCH -100V -33A POWER MOSFET: RS1
