Startseite
Produkte
Hersteller
Über DiGi
Kontaktiere uns
Blogs & Beiträge
Anfrage/Angebot
Austria
Anmelden
Auswahl Sprache
Derzeitige Sprache Ihrer Wahl:
Austria
Schalter:
Englisch
Europa
Vereinigtes Königreich
Frankreich
Spanien
Turkei
Republik Moldau
Litauen
Norwegen
Deutschland
Portugal
Slowakei
ltaly
Finnland
Russisch
Bulgarien
Dänemark
Estland
Polen
Ukraine
Slowenien
Tschechisch
Griechisch
Kroatien
Israel
Serbien
Belarus
Niederlande
Schweden
Montenegro
Baskisch
Island
Bosnien
Ungarisch
Rumänien
Österreich
Belgien
Irland
Asien / Pazifik
China
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Philippinisch
Malaysien
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudi-Arabien
Katar
Kuwait
Kambodscha
Myanmar
Afrika, Indien und Naher Osten
Vereinigte Arabische Emirate
Tadschikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Südafrika
Ägypten
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesien
Südamerika / Ozeanien
Neuseeland
Angola
Brazilien
Mosambik
Peru
Kolumbien
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivien
Uruguay
Argentinien
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexiko
Über DiGi
Über uns
Über uns
Unsere Zertifizierungen
DiGi Einführung
Warum DiGi
Richtlinie
Qualitätspolitik
Nutzungsbedingungen
RoHS-Konformität
Rückgabeprozess
Ressourcen
Produktkategorien
Hersteller
Blogs & Beiträge
Dienstleistungen
Qualitätsgarantie
Zahlungsart
Globale Lieferung
Versandkosten
Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
AUIRLU3110Z
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
AUIRLU3110Z-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 42A IPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 42A (Tc) 140W (Tc) Through Hole IPAK
Inventar:
Angebot Anfrage Online
12836651
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
*
Unternehmen
*
Kontaktname
*
Telefon
*
E-Mail
Lieferadresse
Nachricht
(
*
) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
AUIRLU3110Z Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
42A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
14mOhm @ 38A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 4.5 V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3980 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
140W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
IPAK
Paket / Koffer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Basis-Produktnummer
AUIRLU3110
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
AUIRLU3110Z
HTML-Datenblatt
AUIRLU3110Z-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
75
Andere Namen
2156-AUIRLU3110Z-IT
SP001520848
IFEINFAUIRLU3110Z
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
CPH3356-TL-H
MOSFET P-CH 20V 2.5A 3CPH
FDPF8N50NZU
MOSFET N-CH 500V 6.5A TO220F
FDFMA2P859T
MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET
FQA38N30
MOSFET N-CH 300V 38.4A TO3P