Hersteller Produktnummer:
BFS483H6327XTSA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
BFS483H6327XTSA1-DG
Beschreibung:
RF TRANS 2 NPN 12V 8GHZ SOT363-6
Detaillierte Beschreibung:
RF Transistor 2 NPN (Dual) 12V 65mA 8GHz 450mW Surface Mount PG-SOT363-PO
Inventar:
48371 Stück Neu Original Auf Lager
12799263
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BFS483H6327XTSA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare RF-Transistoren
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
2 NPN (Dual)
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
12V
Frequenz - Übergang
8GHz
Geräuschzahl (dB Typ @ f)
0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Gewinnen
19dB
Leistung - Max
450mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
70 @ 15mA, 8V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
65mA
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Gerätepaket für Lieferanten
PG-SOT363-PO
Basis-Produktnummer
BFS483
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
BFS483H6327XTSA1TR
BFS 483 H6327DKR
BFS 483 H6327CT
BFS483H6327XTSA1CT
BFS 483 H6327
BFS 483 H6327DKR-DG
BFS483H6327XTSA1DKR
BFS 483 H6327-DG
SP000750464
BFS 483 H6327CT-DG
BFS 483 H6327TR-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
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