Hersteller Produktnummer:
BSC012N06NSATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
BSC012N06NSATMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 100A TSON-8
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 36A (Ta), 306A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TSON-8-3
Inventar:
12832836
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BSC012N06NSATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
36A (Ta), 306A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.2mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.3V @ 147µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
143 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
11000 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
214W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TSON-8-3
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer
BSC012
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
5,000
Andere Namen
BSC012N06NSATMA1DKR
SP001645312
BSC012N06NSATMA1TR
BSC012N06NSATMA1-DG
BSC012N06NSATMA1CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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