BSC0901NSATMA1
Hersteller Produktnummer:

BSC0901NSATMA1

Product Overview

Hersteller:

Infineon Technologies

Teilenummer:

BSC0901NSATMA1-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 28A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5

Inventar:

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BSC0901NSATMA1 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
28A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.9mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2800 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta), 69W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TDSON-8-5
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer
BSC0901

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
5,000
Andere Namen
BSC0901NSCT-DG
BSC0901NSATMA1DKR
BSC0901NSTR
BSC0901NSATMA1CT
BSC0901NSDKR-DG
BSC0901NSDKR
BSC0901NSCT
BSC0901NS
BSC0901NSATMA1TR
BSC0901NSTR-DG
SP000800248

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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