Hersteller Produktnummer:
BSC0909NSATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
BSC0909NSATMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 34V 12A/44A TDSON
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 34 V 12A (Ta), 44A (Tc) 2.5W (Ta), 27W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
Inventar:
12940 Stück Neu Original Auf Lager
12831583
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
BSC0909NSATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
34 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
12A (Ta), 44A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
9.2mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1110 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta), 27W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TDSON-8-5
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer
BSC0909
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
5,000
Andere Namen
BSC0909NSCT
BSC0909NS
BSC0909NSDKR
BSC0909NSATMA1DKR-DGTR-DG
BSC0909NSATMA1DKR
BSC0909NSCT-DG
BSC0909NSDKR-DG
BSC0909NSTR-DG
IFEINFBSC0909NSATMA1
BSC0909NSATMA1TR
SP000832576
BSC0909NSATMA1CT
BSC0909NSTR
BSC0909NSATMA1CT-DGTR-DG
2156-BSC0909NSATMA1
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
PMN16XNEX
MOSFET N-CH 20V 6.9A 6TSOP
AUIRFS8408-7TRR
MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK
PSMN030-150B,118
MOSFET N-CH 150V 55.5A D2PAK
