Hersteller Produktnummer:
BSC118N10NSGATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
BSC118N10NSGATMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 11A/71A TDSON
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 11A (Ta), 71A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Inventar:
14000 Stück Neu Original Auf Lager
12830754
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BSC118N10NSGATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
11A (Ta), 71A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
11.8mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 70µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3700 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
114W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TDSON-8-1
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer
BSC118
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
5,000
Andere Namen
BSC118N10NS G
BSC118N10NS G-DG
BSC118N10NSGATMA1CT
BSC118N10NSGATMA1DKR
SP000379599
BSC118N10NSGATMA1TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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