BSC900N20NS3GATMA1
Hersteller Produktnummer:

BSC900N20NS3GATMA1

Product Overview

Hersteller:

Infineon Technologies

Teilenummer:

BSC900N20NS3GATMA1-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 200V 15.2A TDSON-8
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 200 V 15.2A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5

Inventar:

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BSC900N20NS3GATMA1 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
15.2A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 7.6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 30µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
11.6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
920 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
62.5W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TDSON-8-5
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer
BSC900

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
BSC900N20NS3GATMA1
HTML-Datenblatt
BSC900N20NS3GATMA1-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
5,000
Andere Namen
BSC900N20NS3GATMA1TR
BSC900N20NS3GTR
BSC900N20NS3GTR-DG
BSC900N20NS3GCT-DG
BSC900N20NS3GCT
BSC900N20NS3GATMA1CT
BSC900N20NS3 G
SP000781780
BSC900N20NS3GATMA1DKR
BSC900N20NS3GDKR
BSC900N20NS3G
BSC900N20NS3GDKR-DG

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
BSZ900N20NS3GATMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
16519
TEILNUMMER
BSZ900N20NS3GATMA1-DG
Einheitspreis
0.76
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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