Hersteller Produktnummer:
BSZ086P03NS3EGATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
BSZ086P03NS3EGATMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 30 V 13.5A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Inventar:
6713 Stück Neu Original Auf Lager
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BSZ086P03NS3EGATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
13.5A (Ta), 40A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
8.6mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.1V @ 105µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
57.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4785 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.1W (Ta), 69W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TSDSON-8
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer
BSZ086
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
5,000
Andere Namen
BSZ086P03NS3E GCT-DG
BSZ086P03NS3EGATMA1DKR
BSZ086P03NS3EG
BSZ086P03NS3EGATMA1CT
BSZ086P03NS3E G-DG
SP000473016
BSZ086P03NS3E GDKR-DG
BSZ086P03NS3E G
BSZ086P03NS3E GCT
BSZ086P03NS3E GDKR
BSZ086P03NS3E GTR-DG
BSZ086P03NS3EGATMA1TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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