Hersteller Produktnummer:
BSZ110N06NS3GATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
BSZ110N06NS3GATMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 20A 8TSDSON
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 20A (Tc) 2.1W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Inventar:
16802 Stück Neu Original Auf Lager
12799645
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BSZ110N06NS3GATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
11mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 23µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2700 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.1W (Ta), 50W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TSDSON-8
Paket / Koffer
8-PowerVDFN
Basis-Produktnummer
BSZ110
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
5,000
Andere Namen
BSZ110N06NS3 GDKR-DG
SP000453676
BSZ110N06NS3 G
BSZ110N06NS3GATMA1TR
BSZ110N06NS3GINTR
2156-BSZ110N06NS3GATMA1
BSZ110N06NS3GINTR-DG
BSZ110N06NS3GATMA1DKR
BSZ110N06NS3G
BSZ110N06NS3GATMA1CT
BSZ110N06NS3GINDKR-DG
BSZ110N06NS3GINCT
BSZ110N06NS3GINCT-DG
BSZ110N06NS3 GDKR
INFINFBSZ110N06NS3GATMA1
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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