Hersteller Produktnummer:
BSZ16DN25NS3GATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
BSZ16DN25NS3GATMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 250 V 10.9A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Inventar:
1098 Stück Neu Original Auf Lager
12799677
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BSZ16DN25NS3GATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
250 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
10.9A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
165mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 32µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
11.4 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
920 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
62.5W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TSDSON-8
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer
BSZ16DN25
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
5,000
Andere Namen
BSZ16DN25NS3GATMA1DKR
BSZ16DN25NS3GDKR-DG
BSZ16DN25NS3GTR-DG
SP000781800
BSZ16DN25NS3GCT
BSZ16DN25NS3GATMA1CT
BSZ16DN25NS3G
BSZ16DN25NS3GCT-DG
BSZ16DN25NS3GATMA1TR
BSZ16DN25NS3 G
BSZ16DN25NS3GTR
BSZ16DN25NS3GDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
BSC16DN25NS3GATMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
6986
TEILNUMMER
BSC16DN25NS3GATMA1-DG
Einheitspreis
0.83
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
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