Startseite
Produkte
Hersteller
Über DiGi
Kontaktiere uns
Blogs & Beiträge
Anfrage/Angebot
Austria
Anmelden
Auswahl Sprache
Derzeitige Sprache Ihrer Wahl:
Austria
Schalter:
Englisch
Europa
Vereinigtes Königreich
Frankreich
Spanien
Turkei
Republik Moldau
Litauen
Norwegen
Deutschland
Portugal
Slowakei
ltaly
Finnland
Russisch
Bulgarien
Dänemark
Estland
Polen
Ukraine
Slowenien
Tschechisch
Griechisch
Kroatien
Israel
Serbien
Belarus
Niederlande
Schweden
Montenegro
Baskisch
Island
Bosnien
Ungarisch
Rumänien
Österreich
Belgien
Irland
Asien / Pazifik
China
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Philippinisch
Malaysien
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudi-Arabien
Katar
Kuwait
Kambodscha
Myanmar
Afrika, Indien und Naher Osten
Vereinigte Arabische Emirate
Tadschikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Südafrika
Ägypten
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesien
Südamerika / Ozeanien
Neuseeland
Angola
Brazilien
Mosambik
Peru
Kolumbien
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivien
Uruguay
Argentinien
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexiko
Über DiGi
Über uns
Über uns
Unsere Zertifizierungen
DiGi Einführung
Warum DiGi
Richtlinie
Qualitätspolitik
Nutzungsbedingungen
RoHS-Konformität
Rückgabeprozess
Ressourcen
Produktkategorien
Hersteller
Blogs & Beiträge
Dienstleistungen
Qualitätsgarantie
Zahlungsart
Globale Lieferung
Versandkosten
Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
BUZ31
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
BUZ31-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 200 V 14.5A (Tc) 95W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventar:
Angebot Anfrage Online
12800500
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
*
Unternehmen
*
Kontaktname
*
Telefon
*
E-Mail
Lieferadresse
Nachricht
u
k
v
F
(
*
) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
BUZ31 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
SIPMOS®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
14.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
200mOhm @ 9A, 5V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 1mA
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1120 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
95W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
BUZ31
HTML-Datenblatt
BUZ31-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
500
Andere Namen
SP000011341
BUZ31X
BUZ31-DG
BUZ31IN
BUZ31XK
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
PSMN057-200P,127
HERSTELLER
Nexperia USA Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
PSMN057-200P,127-DG
Einheitspreis
1.38
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
PHP20NQ20T,127
HERSTELLER
NXP Semiconductors
VERFÜGBARE ANZAHL
8796
TEILNUMMER
PHP20NQ20T,127-DG
Einheitspreis
1.02
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
IRF200B211
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
4746
TEILNUMMER
IRF200B211-DG
Einheitspreis
0.51
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
RCX120N25
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
RCX120N25-DG
Einheitspreis
1.05
ERSATZART
Direct
Teilenummer
STP19NF20
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
STP19NF20-DG
Einheitspreis
0.63
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IPD90N04S403ATMA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
IPB180N04S302ATMA1
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
IPB03N03LB G
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
IPD80R1K4CEBTMA1
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3