IMT65R057M1HXUMA1
Hersteller Produktnummer:

IMT65R057M1HXUMA1

Product Overview

Hersteller:

Infineon Technologies

Teilenummer:

IMT65R057M1HXUMA1-DG

Beschreibung:

SILICON CARBIDE MOSFET
Detaillierte Beschreibung:
650 V Surface Mount PG-HSOF-8-1

Inventar:

Angebot Anfrage Online
12989064
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

IMT65R057M1HXUMA1 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
CoolSiC™
Produktstatus
Active
FET-Typ
-
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
-
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
18V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
-
vgs(th) (max.) @ id
-
Vgs (Max)
-
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
-
Betriebstemperatur
-
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-HSOF-8-1
Paket / Koffer
8-PowerSFN

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
2,000
Andere Namen
SP005716844
448-IMT65R057M1HXUMA1TR
448-IMT65R057M1HXUMA1CT
448-IMT65R057M1HXUMA1DKR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Ähnliche Produkte
infineon-technologies

IMT65R107M1HXUMA1

SILICON CARBIDE MOSFET

diodes

DMN3030LFG-13

DMN3030LFG-13

micro-commercial-components

MCU95N06KY-TP

N-CHANNEL MOSFET,DPAK

micro-commercial-components

SI0301-TP

N-CHANNEL MOSFET,SOT-23