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Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
IPAN80R360P7XKSA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPAN80R360P7XKSA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 800V 13A TO220
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 800 V 13A (Tc) 30W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Inventar:
Angebot Anfrage Online
12801839
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IPAN80R360P7XKSA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tube
Reihe
CoolMOS™ P7
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
800 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
360mOhm @ 5.6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 280µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
930 pF @ 500 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
30W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO220-FP
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Basis-Produktnummer
IPAN80
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
IPAN80R360P7XKSA1
HTML-Datenblatt
IPAN80R360P7XKSA1-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
SP001702158
2156-IPAN80R360P7XKSA1
INFINFIPAN80R360P7XKSA1
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
TK11A65W,S5X
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
81
TEILNUMMER
TK11A65W,S5X-DG
Einheitspreis
0.50
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
IXFP12N65X2M
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
295
TEILNUMMER
IXFP12N65X2M-DG
Einheitspreis
1.80
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
IPA80R360P7XKSA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
279
TEILNUMMER
IPA80R360P7XKSA1-DG
Einheitspreis
1.03
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
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