Hersteller Produktnummer:
IPB020N10N5LFATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPB020N10N5LFATMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 313W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventar:
12800578
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IPB020N10N5LFATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™-5
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.1V @ 270µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
195 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
840 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
313W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO263-3
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
IPB020
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
IPB020N10N5LFATMA1-DG
IPB020N10N5LFATMA1CT
SP001503854
IPB020N10N5LFATMA1DKR
IPB020N10N5LFATMA1TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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