Hersteller Produktnummer:
IPB100N04S204ATMA4
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPB100N04S204ATMA4-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventar:
990 Stück Neu Original Auf Lager
12803594
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IPB100N04S204ATMA4 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3.3mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
172 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
5300 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
300W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO263-3-2
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
IPB100
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
IPB100N04S204ATMA4-DG
SP001058122
IPB100N04S204ATMA4DKR
IFEINFIPB100N04S204ATMA4
IPB100N04S204ATMA4CT
2156-IPB100N04S204ATMA4
IPB100N04S204ATMA4TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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