Hersteller Produktnummer:
IPB100N04S4H2ATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPB100N04S4H2ATMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventar:
4996 Stück Neu Original Auf Lager
12801210
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IPB100N04S4H2ATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.4mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 70µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
7180 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
115W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO263-3-2
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
IPB100
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
IPB100N04S4-H2
2156-IPB100N04S4H2ATMA1
IPB100N04S4H2ATMA1CT
IPB100N04S4-H2-DG
IPB100N04S4H2ATMA1DKR
SP000711274
IPB100N04S4H2ATMA1TR
INFINFIPB100N04S4H2ATMA1
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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