Hersteller Produktnummer:
IPB160N04S3H2ATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPB160N04S3H2ATMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 40 V 160A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3
Inventar:
12800801
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IPB160N04S3H2ATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Last Time Buy
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
160A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.1mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 150µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
145 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
9600 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
214W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO263-7-3
Paket / Koffer
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Basis-Produktnummer
IPB160
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
IPB160N04S3-H2-DG
IPB160N04S3-H2TR-DG
SP000254818
IPB160N04S3-H2CT
IPB160N04S3H2ATMA1TR
IPB160N04S3H2ATMA1DKR
IPB160N04S3-H2TR
IPB160N04S3H2
INFINFIPB160N04S3H2ATMA1
IPB160N04S3-H2
IPB160N04S3-H2DKR
IPB160N04S3-H2CT-DG
IPB160N04S3-H2DKR-DG
IPB160N04S3H2ATMA1CT
2156-IPB160N04S3H2ATMA1
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IPB160N04S4H1ATMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
870
TEILNUMMER
IPB160N04S4H1ATMA1-DG
Einheitspreis
1.40
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
FDB024N04AL7
HERSTELLER
Fairchild Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
29849
TEILNUMMER
FDB024N04AL7-DG
Einheitspreis
2.73
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
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