Hersteller Produktnummer:
IPB35N12S3L26ATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPB35N12S3L26ATMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CHANNEL_100+
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 120 V 35A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventar:
12846762
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
IPB35N12S3L26ATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
120 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
26.3mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.4V @ 39µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2700 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
71W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO263-3-2
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
IP35N
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
SP001398600
INFINFIPB35N12S3L26ATMA1
2156-IPB35N12S3L26ATMA1
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
FQU5N40TU
MOSFET N-CH 400V 3.4A IPAK
FQA12P20
MOSFET P-CH 200V 12.6A TO3P
NTR0202PLT3G
MOSFET P-CH 20V 400MA SOT23-3
