Hersteller Produktnummer:
IPC302N08N3X1SA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPC302N08N3X1SA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 80V 1A SAWN ON FOIL
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 80 V 1A (Tj) Surface Mount Sawn on foil
Inventar:
12803248
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IPC302N08N3X1SA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Bulk
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
80 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1A (Tj)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 270µA
Vgs (Max)
-
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
-
Betriebstemperatur
-
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
Sawn on foil
Paket / Koffer
Die
Basis-Produktnummer
IPC302N
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1
Andere Namen
448-IPC302N08N3X1SA1
SP000476912
IPC302N08N3X1SA1-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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