Hersteller Produktnummer:
IPD65R650CEAUMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPD65R650CEAUMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 7A TO252-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 7A (Tc) 86W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventar:
2270 Stück Neu Original Auf Lager
12803272
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IPD65R650CEAUMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
CoolMOS™ CE
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
650mOhm @ 2.1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 210µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
440 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
86W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO252-3
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
IPD65R650
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
IPD65R650CEAUMA1DKR
IPD65R650CEAUMA1-DG
IPD65R650CEAUMA1CT
IPD65R650CEAUMA1TR
SP001396908
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
FCD850N80Z
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
15910
TEILNUMMER
FCD850N80Z-DG
Einheitspreis
0.96
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
STD10LN80K5
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
2710
TEILNUMMER
STD10LN80K5-DG
Einheitspreis
1.22
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
FCD620N60ZF
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
9160
TEILNUMMER
FCD620N60ZF-DG
Einheitspreis
0.73
ERSATZART
Upgrade
DIGI-Zertifizierung
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