Hersteller Produktnummer:
IPD900P06NMATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPD900P06NMATMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 60V 16.4A TO252
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 60 V 16.4A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Inventar:
5113 Stück Neu Original Auf Lager
13276448
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IPD900P06NMATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
16.4A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 16.4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 710µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1100 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
63W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO252-3-313
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
IPD90
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
448-IPD900P06NMATMA1TR
448-IPD900P06NMATMA1CT
448-IPD900P06NMATMA1DKR
INFINFIPD900P06NMATMA1
SP004987258
2156-IPD900P06NMATMA1
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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