Hersteller Produktnummer:
IPDQ60R022S7AXTMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPDQ60R022S7AXTMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 24A (Tc) 416W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-22-1
Inventar:
750 Stück Neu Original Auf Lager
13371948
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IPDQ60R022S7AXTMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
CoolMOS™
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Status des Teils
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
12V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
22mOhm @ 23A, 12V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 1.44mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
150 nC @ 12 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
5640 pF @ 300 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
416W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-HDSOP-22-1
Paket / Koffer
22-PowerBSOP Module
Basis-Produktnummer
IPDQ60R
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
750
Andere Namen
448-IPDQ60R022S7AXTMA1CT
SP002373870
448-IPDQ60R022S7AXTMA1TR
448-IPDQ60R022S7AXTMA1DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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