Hersteller Produktnummer:
IPI70N10S312AKSA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPI70N10S312AKSA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 70A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Inventar:
12803803
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IPI70N10S312AKSA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
70A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
11.6mOhm @ 70A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 83µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
66 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4355 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
125W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO262-3
Paket / Koffer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Basis-Produktnummer
IPI70N
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
500
Andere Namen
SP000407124
2156-IPI70N10S312AKSA1
IPI70N10S3-12-DG
INFINFIPI70N10S312AKSA1
IPI70N10S3-12
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IPB70N10S312ATMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
764
TEILNUMMER
IPB70N10S312ATMA1-DG
Einheitspreis
1.17
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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