Hersteller Produktnummer:
IPN65R1K5CEATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPN65R1K5CEATMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 5.2A SOT223
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 5.2A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount PG-SOT223
Inventar:
13064052
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IPN65R1K5CEATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
CoolMOS™ CE
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Status des Teils
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
5.2A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
10.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
225 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
5W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-SOT223
Paket / Koffer
TO-261-4, TO-261AA
Basis-Produktnummer
IPN65R1
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
IPN65R1K5CEATMA1DKR
IPN65R1K5CEATMA1TR
IPN65R1K5CEATMA1CT
2156-IPN65R1K5CEATMA1TR
SP001461234
IPN65R1K5CEATMA1-ND
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IPN70R1K4P7SATMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
7808
TEILNUMMER
IPN70R1K4P7SATMA1-DG
Einheitspreis
0.17
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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