Hersteller Produktnummer:
IPTG025N10NM5ATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPTG025N10NM5ATMA1-DG
Beschreibung:
TRENCH >=100V PG-HSOG-8
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 27A (Ta), 206A (Tc) 3.8W (Ta), 214W (Tc) Surface Mount PG-HSOG-8-1
Inventar:
12973650
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Menge
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EINREICHEN
IPTG025N10NM5ATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
27A (Ta), 206A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.5mOhm @ 150A 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.8V @ 158µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
8800 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.8W (Ta), 214W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-HSOG-8-1
Paket / Koffer
8-PowerSMD, Gull Wing
Basis-Produktnummer
IPTG025N
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,800
Andere Namen
SP005575193
448-IPTG025N10NM5ATMA1TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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